售前電話
135-3656-7657
售前電話 : 135-3656-7657
定義
GAA,一般指全環(huán)繞柵極晶體管,全稱是Gate-All-Around FET。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。
1. 晶體管架構(gòu)的演變
晶體管已經(jīng)發(fā)展到通過按照摩爾定律不斷擴大特征尺寸來降低制造成本,同時提高電路性能。
傳統(tǒng)的平面晶體管是通過將柵極放置在溝道區(qū)域的頂部而形成的,從而有效地使器件在二維平面上導(dǎo)電。然而,隨著柵極長度的縮放,這限制了通道電荷的柵極可控性。因此,引入了FinFET架構(gòu),以進一步實現(xiàn)特征尺寸縮放。在鰭式場效應(yīng)晶體管中,溝道的三面被柵極包圍。
通過增強通道電荷的柵極可控性,在更小的占位面積上實現(xiàn)了性能的提高、漏電流的降低和柵極長度的縮放。由于這些優(yōu)勢,F(xiàn)inFET允許從14納米及更高波長成功擴展技術(shù)。然而,進一步調(diào)整工作電壓極具挑戰(zhàn)性。為了克服這一限制,引入了在通道的所有四個側(cè)面都具有柵電極的柵極全能(GAA)晶體管。這樣可以在降低工作功耗的同時顯著提高性能,從而推動基于CMOS的新技術(shù)的發(fā)展。 三星MBCFETTM MBCFETTM是三星獨特的專利GAA版本。由于通道的納米線格式小,傳統(tǒng)的GAA需要更多的堆棧,這增加了工藝的復(fù)雜性。然而,三星的 MBCFETTM 通道以納米片形式形成,因此每個堆棧可以實現(xiàn)更大的電流,從而實現(xiàn)更簡單的設(shè)備集成。 MBCFETTM的優(yōu)勢